加熱模塊：精準、均勻、安全控溫，溫度精度優(yōu)于0.1K，最高溫度1300℃。通過精確熱場模擬及芯片設計，實現(xiàn)無漂移加熱過程，可在加熱升溫過程中實現(xiàn)實時觀測成像。
電學（偏壓）模塊：實現(xiàn)電熱外場耦合反應。通過電極施加電場，對單個納米結構進行外場控制并進行電學性質的測量。通過電學控制器對樣品施加偏壓，配合電學系統(tǒng)控制程序用于保證微反應系統(tǒng)穩(wěn)定可靠運行的最基本要求，滿足每一臺系統(tǒng)設備的微環(huán)境—電流電壓添加及實時測量，以及實現(xiàn)遠程智能反應條件管理控制功能。該控制程序非常適合各種現(xiàn)代電子器件的電流、電壓特性分析和功能測試：功率半導體材料、功率器件、電化學、能源生產、高效能源消耗等。溫度高于800℃亦可同時進行加熱和電學實驗，且保持穩(wěn)定。
